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2N5955	文件：114.96 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5954 and 2N6372 SERIES types are complementary Silicon Power Transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a hermetically sealed metal case designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：114.96 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5955	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5955	文件：140.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6372/6373/6374 APPLICATIONS • Designed for driver circuits,switching and amplifier applications 文件：140.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5955	文件：136.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector-emitter saturation voltage • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6372 2N6373 2N6374 APPLICATIONS • Designed for driver circuits,switching and amplifier applications 文件：136.68 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5956	文件：203.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors Silicon N-P-N AND P-N-P Medium-Power Transistor General-Purpose Types for Switching Applications 文件：203.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5956	文件：91.41 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT Silicon N-P-N AND P-N-P Medium-Power Transistor General-Purpose Types for Switching Applications 文件：91.41 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5956	文件：136.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector-emitter saturation voltage • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6372 2N6373 2N6374 APPLICATIONS • Designed for driver circuits,switching and amplifier applications 文件：136.68 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5956	文件：140.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6372/6373/6374 APPLICATIONS • Designed for driver circuits,switching and amplifier applications 文件：140.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5956	文件：114.96 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5954 and 2N6372 SERIES types are complementary Silicon Power Transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a hermetically sealed metal case designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：114.96 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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晶体管资料

型号：
2N5944
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_TR_输出极（E）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
470MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLW42,BLW79,BLW92,BLX92,3DA32A,
最大耗散功率：
2W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
36
htest：
470000000
atest：
0.4
wtest：
2

技术参数

Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
16V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N59供应商更新时间2026-3-10 16:04:00

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