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2N5955	文件：541.77 Kbytes Page：7 Pages	Power Transistors Features • 2N5954. 2N5955, 2N5956 complements to 2N6372. 2N6373, 2N6374 • Low saturation voltages • Maximum-safe-areaof-operation curves • Thermal-cycle ratings • Hermetically·sealed JEDEC TO·66 package • High gain at high current 文件：541.77 Kbytes 页数：7 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5955	文件：140.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6372/6373/6374 APPLICATIONS • Designed for driver circuits,switching and amplifier applications 文件：140.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5955	文件：233.04 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): -1.0V(Max) @IC= -2.5A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers 文件：233.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5955	文件：136.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector-emitter saturation voltage • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6372 2N6373 2N6374 APPLICATIONS • Designed for driver circuits,switching and amplifier applications 文件：136.68 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5955	文件：203.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors Silicon N-P-N AND P-N-P Medium-Power Transistor General-Purpose Types for Switching Applications 文件：203.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5955	文件：94.72 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT Silicon N-P-N AND P-N-P Medium-Power Transistor General-Purpose Types for Switching Applications 文件：94.72 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5955	文件：123.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6372/6373/6374 APPLICATIONS • Designed for driver circuits,switching and amplifier applications 文件：123.55 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5955	文件：114.96 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5954 and 2N6372 SERIES types are complementary Silicon Power Transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a hermetically sealed metal case designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：114.96 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5955	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5955	文件：437.12 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：437.12 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N5955
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD244B,BD544B,BD600,BD610,BD800,2N6318,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
E-8
vtest：
70
htest：
5000100
atest：
6
wtest：
40

产品属性

产品编号：
2N5955
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
TRANS PNP 60V 6A TO66

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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