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2N5955	文件：203.32 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors 文件：203.32 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5955	文件：125.16 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：125.16 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5955	文件：15.17 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 文件：15.17 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5955	文件：300 bytes Page：1 Pages	40W PNP Medium Power BJT Transistor This BJT is packaged in TO-66 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
2N5955	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics
2N5955	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
2N5955	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-213AA，TO-66-2；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 6A TO66	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N5955
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD244B,BD544B,BD600,BD610,BD800,2N6318,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
E-8
vtest：
70
htest：
5000100
atest：
6
wtest：
40

产品属性

产品编号：
2N5955
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
TRANS PNP 60V 6A TO66

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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