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2N5971	文件：141.8 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 80V(Min) • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 5A • Excellent Safe Operating Area APPLICATIONS • Designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. 文件：141.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5972	文件：120.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low-collector emitter saturation voltage APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：120.72 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5972	文件：128.889 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 70V(Min) • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 5A • Excellent Safe Operating Area APPLICATIONS • Designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. 文件：128.889 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5972	文件：110.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High power dissipations APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：110.64 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5972	文件：130.3 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High power dissipations APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：130.3 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5973	文件：110.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High power dissipations APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：110.2 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5973	文件：129.169 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEo(sus)= 80V(Min) • Low Saturation Voltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@lc = 5A • Excellent Safe Operating Area APPLICATIONS • Designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. 文件：129.169 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5973	文件：98.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：98.56 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5973	文件：130.18 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High power dissipations APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：130.18 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5986	文件：769.46 Kbytes Page：4 Pages	12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER PLASTIC COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40,60,80 VOLTS 100 WATTS 文件：769.46 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

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晶体管资料

型号：
2N5944
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_TR_输出极（E）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
470MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLW42,BLW79,BLW92,BLX92,3DA32A,
最大耗散功率：
2W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
36
htest：
470000000
atest：
0.4
wtest：
2

技术参数

Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
16V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N59供应商更新时间2026-3-10 16:04:00

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