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2N5839

HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N POWER TRANSISTORS

High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Power Transistors For Switching and Linear Applications in Military, Industrial, and Commercial Equipment

文件:379.95 Kbytes 页数:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

2N5839

Power Transistors

Power Transistors

文件:347.98 Kbytes 页数:8 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N5839

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High breakdown voltage APPLICATIONS • For use in switching power supply and other inductive switching circuits.

文件:130.479 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

2N5839

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • For use in switching power supply applications and other inductive switching circuits.

文件:113.53 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N5830

NPN General Purpose Amplifier

文件:297.37 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

2N5830_01

NPN General Purpose Amplifier

文件:297.37 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

2N5832_15

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件:83.15 Kbytes 页数:1 Pages

SECOS

喜可士

2N5838

Bipolar NPN Device

文件:11.29 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N5838

Silicon NPN Power Transistors

文件:113.53 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N5838

Silicon NPN Power Transistors

文件:113.38 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

晶体管资料

  • 型号:

    2N5830

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_视频输出 (Vid)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    12V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF391,BF392,BF393,BFP22,MPS-A42,MPS-A43,2N5550,3DG84E,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    12

  • htest:

    100000100

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.625

产品属性

  • 产品编号:

    2N5830

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多2N583供应商 更新时间2026-1-17 13:16:00