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2N5910	文件：65.71 Kbytes Page：1 Pages	PMP SILICON SWITCHING TRANSISTORS Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：65.71 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5910	文件：191.17 Kbytes Page：2 Pages	PNP ULTRA HIGH SPEED SATURATED LOGIC SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：191.17 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5911	文件：146.09 Kbytes Page：1 Pages	DIFFETENTIAL PAIRS N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS DIFFETENTIAL PAIRS N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS 文件：146.09 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5911	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNEL JFET GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES 文件：4.13074 Mbytes 页数：122 Pages	INTERSIL	INTERSIL
2N5911	文件：24.9 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier FEATURES • Tight Tracking • Low Insertion Loss • Good Matching 文件：24.9 Kbytes 页数：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
2N5911	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor ● Wideband Differential Amplifiers 文件：71.98 Kbytes 页数：1 Pages	INTERFET	INTERFET
2N5911-12	文件：24.9 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier FEATURES • Tight Tracking • Low Insertion Loss • Good Matching 文件：24.9 Kbytes 页数：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
2N5912	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor ● Wideband Differential Amplifiers 文件：71.98 Kbytes 页数：1 Pages	INTERFET	INTERFET
2N5912	文件：24.9 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier FEATURES • Tight Tracking • Low Insertion Loss • Good Matching 文件：24.9 Kbytes 页数：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC

晶体管资料

型号：
2N591
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
32V
最大电流允许值：
0.04A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,
最大耗散功率：
0.05W
放大倍数：
图片代号：
C-18
vtest：
32
htest：
999900
atest：
0.04
wtest：
0.05

技术参数

Maximum Transition Frequency：
700(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
310mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4.5V
Maximum DC Collector Current：
0.05A
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.15@1mA@10mA
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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