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2N5912	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNEL JFET GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES 文件：4.13074 Mbytes 页数：122 Pages	INTERSIL	INTERSIL
2N5912	文件：146.09 Kbytes Page：1 Pages	DIFFETENTIAL PAIRS N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS DIFFETENTIAL PAIRS N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS 文件：146.09 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5912	文件：280.87 Kbytes Page：1 Pages	Linear Systems replaces discontinued Siliconix & National Linear Systems replaces discontinued Siliconix & National 2N5912 The 2N5912 are monolithic dual JFETs. The monolithic dual chip design reduces parasitics and gives better performance at very high frequencies while ensuring extremely tight matching. These devices are an excellent choice for us 文件：280.87 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSS	MICROSS
2N5914	文件：350.2 Kbytes Page：6 Pages	High-Power Silicon N-P-N Overlay Transistors Feafures: Low inductance radial ieads ~ particutariy usefuli for strip-iine circuits s Hermetically sealed ceramic-metal package Electrically isolated mounting stud e6 watts minimum output from 2N5915 amplifier at 470 MHz e7-dB gain from 2N5914 driver at 470 MHz 文件：350.2 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5915	文件：350.2 Kbytes Page：6 Pages	High-Power Silicon N-P-N Overlay Transistors Feafures: Low inductance radial ieads ~ particutariy usefuli for strip-iine circuits s Hermetically sealed ceramic-metal package Electrically isolated mounting stud e6 watts minimum output from 2N5915 amplifier at 470 MHz e7-dB gain from 2N5914 driver at 470 MHz 文件：350.2 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5911	文件：280.87 Kbytes Page：1 Pages	Linear Systems replaces discontinued Siliconix & National 文件：280.87 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSS	MICROSS
2N5911_15	文件：41.54 Kbytes Page：2 Pages	High Frequency Amplifier 文件：41.54 Kbytes 页数：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
2N5911_TO-71	文件：280.87 Kbytes Page：1 Pages	MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET 文件：280.87 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSS	MICROSS
2N5912	文件：41.54 Kbytes Page：2 Pages	High Frequency Amplifier 文件：41.54 Kbytes 页数：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
2N5912_TO-71	文件：280.87 Kbytes Page：1 Pages	MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET 文件：280.87 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSS	MICROSS

晶体管资料

型号：
2N591
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
32V
最大电流允许值：
0.04A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,
最大耗散功率：
0.05W
放大倍数：
图片代号：
C-18
vtest：
32
htest：
999900
atest：
0.04
wtest：
0.05

技术参数

Maximum Transition Frequency：
700(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
310mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4.5V
Maximum DC Collector Current：
0.05A
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.15@1mA@10mA
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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