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2N5912C	文件：281.13 Kbytes Page：1 Pages	Linear Systems replaces discontinued Siliconix & National 文件：281.13 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSS	MICROSS
2N5912C_TO-71	文件：281.13 Kbytes Page：1 Pages	MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET 文件：281.13 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSS	MICROSS
2N5913	文件：89.13 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT 文件：89.13 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5911	文件：300 bytes Page：1 Pages	JFET Amplifiers	Calogic	Calogic
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2N5912	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-78-6 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANSISTOR DUAL TO78	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N591
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
32V
最大电流允许值：
0.04A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,
最大耗散功率：
0.05W
放大倍数：
图片代号：
C-18
vtest：
32
htest：
999900
atest：
0.04
wtest：
0.05

技术参数

Maximum Transition Frequency：
700(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
310mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4.5V
Maximum DC Collector Current：
0.05A
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.15@1mA@10mA
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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