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2N5879 | COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A * Execllent DC Current Gain - hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A 文件：186.39 Kbytes 页数：4 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | |
2N5879 | POWER TRANSISTORS(15A,160W) General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A * Execllent DC Current Gain - hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A 文件：180.43 Kbytes 页数：4 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | |
2N5879 | Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
2N5879 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N5881 2N5882 APPLICATIONS • For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：131.37 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2N5879 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ● Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 Vdc(Min) - 2N5879, 2N5881 = 60 Vdc(Min) - 2N5880, 2N5882 ● DC Current Gain - hFE = 20 文件：171.42 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N5879 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N5881 2N5882 APPLICATIONS • For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：113.25 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N5879 | Silicon PNP Power Transistors 文件：114.83 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N5879 | PNP Transistor | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N5879 | 包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
15A
- 最大工作频率：
>4MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD316,BD746A,BDW52A,2N4398,2N5683,2N6029,2N6030,2N6031,3CK015C,
- 最大耗散功率：
160W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
60
- htest：
4000100
- atest：
15
- wtest：
160
产品属性
- 产品编号：
2N5879
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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