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2N593	文件：68.61 Kbytes Page：1 Pages	BIDIRECTIONAL TRANSISTOR Bidirectional Transistor 文件：68.61 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N593	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 80V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5930	文件：130.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 15A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：130.63 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5930	文件：142 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 15A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：142 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5932	文件：141.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：141.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5932	文件：127.52 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：127.52 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5933	文件：127.21 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 20A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：127.21 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5933	文件：141.41 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 20A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：141.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5934	文件：141.63 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 20A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：141.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5934	文件：127.45 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 20A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：127.45 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N593
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_SYM
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
最大工作频率：
>0.6MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX52D,
最大耗散功率：
0.125W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
40
htest：
600100
atest：
0
wtest：
0.125

技术参数

Maximum Transition Frequency：
5(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.2A@2A
Maximum Collector Base Voltage：
90V
Material：
Si
Category：
Bipolar Power

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