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2N5935	文件：12.14 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：12.14 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5936	文件：18.88 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：18.88 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5937	文件：128.16 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：128.16 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5937	文件：142.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors 文件：142.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5937	文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5932	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics
2N5933	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics
2N5931	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N5935	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N5936	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N593
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_SYM
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
最大工作频率：
>0.6MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX52D,
最大耗散功率：
0.125W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
40
htest：
600100
atest：
0
wtest：
0.125

技术参数

Maximum Transition Frequency：
5(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.2A@2A
Maximum Collector Base Voltage：
90V
Material：
Si
Category：
Bipolar Power

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