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2N5932

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2N5932

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5932

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

晶体管资料

  • 型号:

    2N5932

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)_]

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    70V

  • 最大电流允许值:

    30A

  • 最大工作频率:

    >30MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDW30,BDY29,BDY58,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DK108C,

  • 最大耗散功率:

    175W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    70

  • htest:

    30000100

  • atest:

    30

  • wtest:

    175

详细参数

  • 型号:

    2N5932

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3VAR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N5932供应商 更新时间2024-4-30 16:30:00