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2N5932 | isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
2N5932 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N5932 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)_]
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
70V
- 最大电流允许值:
30A
- 最大工作频率:
>30MHZ
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BDW30,BDY29,BDY58,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DK108C,
- 最大耗散功率:
175W
- 放大倍数:
- 图片代号:
E-44
- vtest:
70
- htest:
30000100
- atest:
30
- wtest:
175
详细参数
- 型号:
2N5932
- 功能描述:
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3VAR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MOT |
TO-3 |
10000 |
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ON |
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