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2N5987

12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

HIGH POWER PLASTIC COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40,60,80 VOLTS 100 WATTS

文件:769.46 Kbytes 页数:4 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

2N5987

HIGH POWER PLASTIC COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

HIGH POWER PLASTIC COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40,60,80 VOLTS 100 WATTS

文件:112.44 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5987

Trans GP BJT PNP 80V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve

NJS

新泽西半导体

2N60

TO-252

XY/星宇佳

2N6027G

TO92

ON

ON

晶体管资料

  • 型号:

    2N5987

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    12A

  • 最大工作频率:

    >2MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    3CD15C,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    80

  • htest:

    2000100

  • atest:

    12

  • wtest:

    100

技术参数

  • Maximum Transition Frequency:

    5(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    40000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum DC Collector Current:

    6A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    80V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1@0.2A@2A

  • Maximum Collector Base Voltage:

    90V

  • Material:

    Si

  • Category:

    Bipolar Power

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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全新
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更多2N5987供应商 更新时间2026-4-17 16:01:00