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2N5881	文件：180.43 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,160W) General-PurposePowerAmplifierandSwitchingApplications FEATURES: LowCollector-EmitterSaturationVoltage- VCE(SAT)=1.0V(Max.)@IC=7.0A ExecllentDCCurrentGain- hFE=10~100@IC=6.0A	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
2N5881	文件：186.39 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS General-PurposePowerAmplifierandSwitchingApplications FEATURES: LowCollector-EmitterSaturationVoltage- VCE(SAT)=1.0V(Max.)@IC=7.0A ExecllentDCCurrentGain- hFE=10~100@IC=6.0A	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N5881	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors PowerTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5881	文件：112.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N58792N5880 APPLICATIONS •Forgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2N5881	文件：118.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N58792N5880 APPLICATIONS •Forgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2N5881	文件：131.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N58792N5880 APPLICATIONS •Forgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N5881	文件：171.42 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. ●Collector-EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60Vdc(Min)-2N5879,2N5881 =60Vdc(Min)-2N5880,2N5882 ●DCCurrentGain- hFE=20	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5881	文件：118.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2N5881	文件：114.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2N5881	文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

产品属性

产品编号：
2N5881
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
描述：
TRANS NPN 60V 15A

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更多2N5881供应商更新时间2025-7-24 16:30:00

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