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2N5551	文件：353.01 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N5551	文件：74.58 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors Features ●Switchingandamplificationinhighvoltage ●Applicationssuchastelephony ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180V)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2N5551	文件：1.03569 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistorBareDie Generalpurposehighvoltageamplifierorswitchinbaredieform Features HighCollectorBreakdownVoltage LowCollectorSaturationVoltage Characterizedattemperatureextremes HighReliabilityGoldBackMetal HighReliabilitytestedgradesforMilitary+Space	SS Silicon Supplies	SS
2N5551	文件：59.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES ·Lowcurrent(max.300mA) ·Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS ·Switchingandamplificationinhighvoltageapplications suchastelephony. DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plastic package.PNPcomplements:2N5400and2N5401.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N5551	文件：1.44581 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features GeneralPurposeSwitchingApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N5551	文件：707.49 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
2N5551A	文件：707.49 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
2N5551B	文件：707.49 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
2N5551BU	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5551BU	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
2N5551TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5551TAR_Q供应商更新时间2025-5-20 9:30:00

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