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2N5551	文件：165.17 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS 2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5551	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
2N5551	文件：222.18 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5551	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???? NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
2N5551	文件：146.1 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.),VCB=120V LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.),IC=50mA,IB=5mA LowNoise:NF=8dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551	文件：47.05 Kbytes Page：1 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES&USE ★HighCollectorBreakdownVoltage;LowNoise; ★Complementaryto2N5401 ★Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
2N5551	文件：171.22 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors NPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2N5551	文件：130.009 Kbytes Page：2 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION •NPNhigh-voltagetransistor •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V) •Complementsto2N5401. APPLICATIONS •DesignedforSwitchingandamplification inhighvoltageapplications,suchastelephony applications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N5551	文件：185.38 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2N5551	文件：765.28 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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详细参数

型号：
2N5551TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5551TAR_Q供应商更新时间2025-5-20 9:30:00

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