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2N5551	文件：155.74 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalHighVoltageTransistor(NPN) Features •HighVoltageNPNTransistorforGeneralPurposeand TelephonyApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
2N5551	文件：53.44 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES Highcollector-emittervoltage: VCEO=160V Highcurrentgain APPLICATIONS Telephoneswitchingcircuit Amplifier	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5551	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551	文件：66.71 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N5551	文件：199.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeamplifierHighvoltageapplication) Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •Complementarypairwith2N5401	AUK AUK corp	AUK
2N5551	文件：57.29 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR NPNEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR HighVoltageNPNTransistorForGeneralPurposeAndTelephonyApplications.	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N5551	文件：30.35 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551	文件：83.22 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N5550,DateCode	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
2N5551	文件：214.49 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierTransistor Features •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers. •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLrating1 •Marking:Typenumber •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesCo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N5551	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
2N5551TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5551TAR_Q供应商更新时间2025-5-20 9:30:00

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