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2N5172	文件：1.26412 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2N5172；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Amplifier Transistor 文件：1.26412 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N5172-TA	文件：1.26412 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2N5172；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Amplifier Transistor 文件：1.26412 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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2N5172	文件：23.28 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics. 文件：23.28 Kbytes 页数：3 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5172	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：59.95 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N5172	文件：105.25 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：105.25 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
2N5172	文件：66.08 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 25 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.08 Kbytes 页数：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
2N5172	文件：81.54 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • General Purpose Amplifier Transistor 文件：81.54 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N5172	文件：131.13 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 25 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：131.13 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

详细参数

型号：
2N5172
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5172供应商更新时间2025-9-19 9:05:00

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