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2N4920	文件：121.84 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：121.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920	文件：117.78 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：117.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920G	文件：121.84 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：121.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4921	文件：131.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：131.59 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N4921	文件：47.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：47.08 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N4921	文件：151.1 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM-POWER PLASTIC NPN SILICON TRANSISTORS Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors 文件：151.1 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4921	文件：104.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：104.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4921	文件：106.89 Kbytes Page：8 Pages	1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS These high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction − PD = 30 W @ TC = 25°C • Excellent Safe Ope 文件：106.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4922	文件：47.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：47.08 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N4922	文件：131.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：131.59 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2N492(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
UJT-P
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.07A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-13
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.07
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
80
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
1.3
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
30
hFE Max：
150
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
30
Package Type：
TO-225-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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