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2N4921	文件：106.89 Kbytes Page：8 Pages	1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS These high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction − PD = 30 W @ TC = 25°C • Excellent Safe Ope 文件：106.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4921	文件：131.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：131.59 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N4921	文件：47.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：47.08 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N4921	文件：151.1 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM-POWER PLASTIC NPN SILICON TRANSISTORS Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors 文件：151.1 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4921	文件：104.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：104.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4921	文件：106.11 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：106.11 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4921	文件：47.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：47.08 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N4921	文件：90.97 Kbytes Page：6 Pages	Medium?뭁ower Plastic NPN Silicon Transistors 文件：90.97 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4921	文件：300 bytes Page：1 Pages	Medium Power NPN Bipolar Power Transistor The Power 3 A, 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications. • Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp\n• Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C\n• Excellent Safe Operating Area\n• Gain Specified to IC = 1.0 Amp\n• Complement of PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4921	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central

晶体管资料

型号：
2N4921
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD135,BD165,BD175,BD185,BD233,BD437,3DD30A,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
3000100
atest：
1
wtest：
30

产品属性

产品编号：
2N4921
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 40V 1A TO126

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