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2N4921	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-126 Box	NJS	NJS
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2N4921_06	文件：90.97 Kbytes Page：6 Pages	Medium?뭁ower Plastic NPN Silicon Transistors 文件：90.97 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4921_15	文件：47.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：47.08 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
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2N4921G_13	文件：150.47 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors 文件：150.47 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4921G_17	文件：198.11 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors 文件：198.11 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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晶体管资料

型号：
2N4921
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD135,BD165,BD175,BD185,BD233,BD437,3DD30A,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
3000100
atest：
1
wtest：
30

产品属性

产品编号：
2N4921
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 40V 1A TO126

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更多2N4921供应商更新时间2025-12-24 10:31:00

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