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2N4920	文件：113.84 Kbytes Page：8 Pages	GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：113.84 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920	文件：121.84 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：121.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920	文件：67.25 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4918, 2N4919, and 2N4920 are Silicon PNP Expitaxial Base Power Transistors designed for Medium power amplifier and switching applications. 文件：67.25 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4920	文件：239.53 Kbytes Page：2 Pages	Bipolar Transistor Description: Medium Power Plastic PNP, TO-126, Silicon Transistor. Designed for driver circuits, switching and amplifier applications. Features: • Low Saturation Voltage : Vce(sat) 0.6V DC, Ic = 1A • Excellent power dissipation due to Thermopad Construction Pd = 30 @ Tc = 25°C Description 文件：239.53 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N4920	文件：131.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4921/4922/4923 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：131.66 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N4920	文件：197.76 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM-POWER PLASTIC PNP SILICON TRANSISTORS . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These high-performance plastic devices feature: Features • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30 and 40 W @ TC = 文件：197.76 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4920	文件：104.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4921/4922/4923 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：104.94 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4920	文件：117.78 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：117.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920	文件：106.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：106.51 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4920	文件：203.99 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors 文件：203.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N4920
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD140,BD170,BD180,BD190,BD238,BD442,CD50B,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
3000100
atest：
1
wtest：
30

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
80
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
1.3
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
30
hFE Max：
150
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
30
Package Type：
TO-225-3

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