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2N4920	文件：113.84 Kbytes Page：8 Pages	GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：113.84 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920	文件：121.84 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：121.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920	文件：67.25 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4918, 2N4919, and 2N4920 are Silicon PNP Expitaxial Base Power Transistors designed for Medium power amplifier and switching applications. 文件：67.25 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N4920	文件：131.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4921/4922/4923 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：131.66 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N4920	文件：197.76 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM-POWER PLASTIC PNP SILICON TRANSISTORS . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These high-performance plastic devices feature: Features • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30 and 40 W @ TC = 文件：197.76 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4920	文件：104.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4921/4922/4923 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：104.94 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4920	文件：117.78 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：117.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920	文件：106.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：106.51 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4920	文件：203.99 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors 文件：203.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4920	文件：120.83 Kbytes Page：6 Pages	Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors 文件：120.83 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
80
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
1.3
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
30
hFE Max：
150
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
30
Package Type：
TO-225-3

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