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2N4920G

Medium-Power Plastic PNP

Thesemedium−power,high−performanceplasticdevicesaredesignedfordrivercircuits,switching,andamplifierapplications. Features •Pb−FreePackageisAvailable** •LowSaturationVoltage−VCE(sat)=0.6Vdc(Max)@IC=1.0A •ExcellentPowerDissipationDuetoThermopadConstruct

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2N4920G

Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors

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2N4920G

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 1A TO126

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晶体管资料

  • 型号:

    2N4920

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >3MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD140,BD170,BD180,BD190,BD238,BD442,CD50B,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    80

  • htest:

    3000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    30

详细参数

  • 型号:

    2N4920

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多2N4920供应商 更新时间2025-5-1 18:17:00