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2N4922	文件：106.89 Kbytes Page：8 Pages	1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS These high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction − PD = 30 W @ TC = 25°C • Excellent Safe Ope 文件：106.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4922	文件：131.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：131.59 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N4922	文件：47.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：47.08 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N4922	文件：151.1 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM-POWER PLASTIC NPN SILICON TRANSISTORS Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors 文件：151.1 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4922	文件：104.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：104.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4922	文件：106.11 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：106.11 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4922	文件：90.97 Kbytes Page：6 Pages	Medium?뭁ower Plastic NPN Silicon Transistors 文件：90.97 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4922	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率 NPN 双极功率晶体管 The Power 3 A, 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications. • Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp\n• Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C\n• Excellent Safe Operating Area\n• Gain Specified to IC = 1.0 Amp\n• Complement of PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4922	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
2N4922	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-126 Box	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N4922
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD137,BD167,BD177,BD187,BD235,BD439,3DD30A,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
3000100
atest：
1
wtest：
30

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
1.3
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
30
hFE Max：
150
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
30
Package Type：
TO-225-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N4922供应商更新时间2026-4-18 23:00:00

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