首页>2N4922>规格书详情

2N4922中文资料中等功率 NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

2N4922

参数属性

2N4922 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A TO126

功能描述

中等功率 NPN 双极功率晶体管
TRANS NPN 60V 1A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 10:38:00

人工找货

2N4922价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

2N4922规格书详情

描述 Description

The Power 3 A, 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

特性 Features

• Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
• Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C
• Excellent Safe Operating Area
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp
• Complement of PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
• Pb-Free Packages are Available

简介

2N4922属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N4922晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N4922

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :1.3

  • VBE(on) (V)

    :1.3

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :150

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-225-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
22+
TO-126
14100
原装正品
询价
23+
TO126
4000
正品原装货价格低
询价
ON(安森美)
25+
标准封装
8000
原装,请咨询
询价
ON/安森美
24+
TO-225
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
ON
24+
TO-126
5000
只做原装公司现货
询价
ON Semiconductor
2010+
N/A
765
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
ON
2024
TO-126
70230
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
询价
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
MOTOROLA/摩托罗拉
专业铁帽
CAN3
1000
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
询价
ON/安森美
22+
TO-126
6000
十年配单,只做原装
询价