2N4919中文资料Medium Power PNP Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

特性 Features

• Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
• Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C
• Excellent Safe Operating Area
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp
• Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923
• Pb-Free Package is Available

简介

2N4919属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N4919晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。