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2N492	文件：76.36 Kbytes Page：1 Pages	UNIJUNCTION TRANSISTORS UNIJUNCTION TRANSISTORS 文件：76.36 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N492	文件：144.32 Kbytes Page：1 Pages	Diode UNIJUNCTION TRANSISTORS 文件：144.32 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N492	文件：343.08 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR NPN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR Silicon unijunction transistors are three-terminal device having a stable “N” type negative resistance characteristic over a wide temperature range. FEATURES • Stable operation over wide temperature range • Low leakage current • Low peak point current • Gua 文件：343.08 Kbytes 页数：6 Pages	DIGITRON	DIGITRON
2N492	文件：300 bytes Page：1 Pages	Unijunction Transistors This Unijuction Transistor is packaged in TO-5 package, which has a power rating of 450mW.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
2N4920	文件：197.76 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM-POWER PLASTIC PNP SILICON TRANSISTORS . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These high-performance plastic devices feature: Features • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30 and 40 W @ TC = 文件：197.76 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4920	文件：67.25 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4918, 2N4919, and 2N4920 are Silicon PNP Expitaxial Base Power Transistors designed for Medium power amplifier and switching applications. 文件：67.25 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4920	文件：239.53 Kbytes Page：2 Pages	Bipolar Transistor Description: Medium Power Plastic PNP, TO-126, Silicon Transistor. Designed for driver circuits, switching and amplifier applications. Features: • Low Saturation Voltage : Vce(sat) 0.6V DC, Ic = 1A • Excellent power dissipation due to Thermopad Construction Pd = 30 @ Tc = 25°C Description 文件：239.53 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N4920	文件：131.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4921/4922/4923 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：131.66 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N4920	文件：104.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4921/4922/4923 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications 文件：104.94 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N4920	文件：113.84 Kbytes Page：8 Pages	GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Pb−Free Package is Available** • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construct 文件：113.84 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N492(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
UJT-P
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.07A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-13
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.07
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
80
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
1.3
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
30
hFE Max：
150
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
30
Package Type：
TO-225-3

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