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2N4403L-T92-B	文件：108.8 Kbytes Page：5 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC 2N4403 is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 文件：108.8 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2N4403L-T92-K	文件：108.8 Kbytes Page：5 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC 2N4403 is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 文件：108.8 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2N4403R	文件：855.81 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFET FEATURES Power dissipation 文件：855.81 Kbytes 页数：4 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
2N4403RL	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4403RLRA	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4403RLRAG	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4403RLRM	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4403RLRP	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4403RLRPG	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4403SC	文件：353.79 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Complementary to the 2N4401SC 文件：353.79 Kbytes 页数：3 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC

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晶体管资料

型号：
2N4402
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC327,BC488,BC527,BC638,BC640,2N2906,2N2907,2N2906(A)2N2907(A),3CK9C,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>50
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.625

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
5
hFEMin：
50
hFEMax：
150
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.75
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

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更多2N440供应商更新时间2025-8-11 11:50:00

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