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2N4403RLRAG

General Purpose Transistors

PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc

文件:106.24 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4403RLRAG

General Purpose Transistors PNP Silicon

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ONSEMI

安森美半导体

2N4403RLRAG

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 0.6A TO92

ONSEMI

安森美半导体

2N4403RLRM

General Purpose Transistors

PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc

文件:106.24 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4403RLRM

General Purpose Transistors PNP Silicon

文件:118.38 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4403RLRMG

General Purpose Transistors PNP Silicon

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ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2N4403RLRAG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 50mA,500mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.6A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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