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2N4403	文件：42.8 Kbytes Page：7 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch for collector currents to 500 mA. 文件：42.8 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N4403	文件：71.81 Kbytes Page：7 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch for collector currents to 500 mA. 文件：71.81 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N4403	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4403	文件：33.53 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal Transistor (PNP) Features 1. PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. 2. As complementary type, the NPN transistor 2N4401 is recommended. 3. On special request, this transistor is also manufactured in the pin configuration TO-18. 4. This transistor is also available in 文件：33.53 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
2N4403	文件：108.8 Kbytes Page：5 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC 2N4403 is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 文件：108.8 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2N4403	文件：153.64 Kbytes Page：6 Pages	NPN PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N4400, 4401 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N4402, 4403 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：153.64 Kbytes 页数：6 Pages	CDIL	CDIL
2N4403A3	文件：156.22 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description • The2N4403A3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. • Large IC , IC Max .= -0.6A • Low VCE(sat), typically -0.2V at IC/IB = -300mA / -30mA. Ideal for low-Voltage operation • Complementary to 2N4401A3. 文件：156.22 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
2N4403B	文件：197.49 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE 40V POWER 625mW FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design Collector-emitter voltage VCE = -40V Collector current IC =-600mA Complimentary (NPN) device: 2N4401 MECHANICAL DATA Case: TO-92 Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Approx Weight: 0.02 文件：197.49 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N4403BU	文件：75.02 Kbytes Page：8 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch for collector currents to 500 mA. 文件：75.02 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N4403G	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2N4402
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC327,BC488,BC527,BC638,BC640,2N2906,2N2907,2N2906(A)2N2907(A),3CK9C,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>50
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.625

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
5
hFEMin：
50
hFEMax：
150
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.75
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

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更多2N440供应商更新时间2025-8-11 11:50:00

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