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2N4403T/B	文件：197.49 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE 40V POWER 625mW FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design Collector-emitter voltage VCE = -40V Collector current IC =-600mA Complimentary (NPN) device: 2N4401 MECHANICAL DATA Case: TO-92 Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Approx Weight: 0.02 文件：197.49 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N4403T/R	文件：197.49 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE 40V POWER 625mW FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design Collector-emitter voltage VCE = -40V Collector current IC =-600mA Complimentary (NPN) device: 2N4401 MECHANICAL DATA Case: TO-92 Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Approx Weight: 0.02 文件：197.49 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N4403-T92-B	文件：108.8 Kbytes Page：5 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC 2N4403 is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 文件：108.8 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2N4403-T92-K	文件：108.8 Kbytes Page：5 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC 2N4403 is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 文件：108.8 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2N4403TA	文件：74.69 Kbytes Page：7 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch for collector currents to 500 mA. 文件：74.69 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N4403TFR	文件：71.81 Kbytes Page：7 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch for collector currents to 500 mA. 文件：71.81 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N4403TSLASHB	文件：197.49 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE 40V POWER 625mW FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design Collector-emitter voltage VCE = -40V Collector current IC =-600mA Complimentary (NPN) device: 2N4401 MECHANICAL DATA Case: TO-92 Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Approx Weight: 0.02 文件：197.49 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N4403TSLASHR	文件：197.49 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE 40V POWER 625mW FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design Collector-emitter voltage VCE = -40V Collector current IC =-600mA Complimentary (NPN) device: 2N4401 MECHANICAL DATA Case: TO-92 Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Approx Weight: 0.02 文件：197.49 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N4403ZL1	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP silicon planar epitaxial transistor Collector − Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector − Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter − Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current − Continuous IC 600 mAdc 文件：106.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4404	文件：100.25 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4404, 2N4405 types are PNP Silicon Exitaxial Planar Transistors designed for general purpose and switching applications. 文件：100.25 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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晶体管资料

型号：
2N4402
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC327,BC488,BC527,BC638,BC640,2N2906,2N2907,2N2906(A)2N2907(A),3CK9C,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>50
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.625

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
5
hFEMin：
50
hFEMax：
150
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.75
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N440供应商更新时间2025-8-11 11:50:00

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