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2N4404	文件：133.97 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4404, 2N4405 types are PNP Silicon Exitaxial Planar Transistors designed for general purpose and switching applications. 文件：133.97 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4404	文件：55.52 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：55.52 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4405	文件：100.25 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4404, 2N4405 types are PNP Silicon Exitaxial Planar Transistors designed for general purpose and switching applications. 文件：100.25 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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2N4406	文件：55.52 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：55.52 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4406	文件：81.8 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4406, 2N4407 types are PNP Silicon EPitaxial Planar Transistors designed for general purpose and switching applications. 文件：81.8 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4406	文件：242.58 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS PNP silicon annular transistors designed for general purpose amplfier and switching applications. 文件：242.58 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4407	文件：242.58 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS PNP silicon annular transistors designed for general purpose amplfier and switching applications. 文件：242.58 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4407	文件：81.8 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4406, 2N4407 types are PNP Silicon EPitaxial Planar Transistors designed for general purpose and switching applications. 文件：81.8 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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晶体管资料

型号：
2N4402
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC327,BC488,BC527,BC638,BC640,2N2906,2N2907,2N2906(A)2N2907(A),3CK9C,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>50
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.625

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
5
hFEMin：
50
hFEMax：
150
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.75
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

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