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2DB1119S	文件：201.27 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant • Green Device Mechanical Data • Case: SOT89-3L • Case Material: Molded Pla 文件：201.27 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1119S-13	文件：201.27 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant • Green Device Mechanical Data • Case: SOT89-3L • Case Material: Molded Pla 文件：201.27 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1132P	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -32V • IC = -1A High Continuous Collector Current • Complementary NPN Type: 2DD1664 • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Haloge 文件：190.08 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1132P-13	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -32V • IC = -1A High Continuous Collector Current • Complementary NPN Type: 2DD1664 • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Haloge 文件：190.08 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1132Q	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -32V • IC = -1A High Continuous Collector Current • Complementary NPN Type: 2DD1664 • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Haloge 文件：190.08 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1132Q-13	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -32V • IC = -1A High Continuous Collector Current • Complementary NPN Type: 2DD1664 • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Haloge 文件：190.08 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1132R	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -32V • IC = -1A High Continuous Collector Current • Complementary NPN Type: 2DD1664 • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Haloge 文件：190.08 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1132R-13	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -32V • IC = -1A High Continuous Collector Current • Complementary NPN Type: 2DD1664 • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Haloge 文件：190.08 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1182Q	文件：277.92 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low saturation voltage ·High reliability ·High Continuous Collector Current APPLICATIONS ·Power Switching or Amplification 文件：277.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2DB1182Q	文件：113.56 Kbytes Page：5 Pages	32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252 Features • BVCEO > -32V • IC = -2A High Continuous Collector Current • ICM = -3A Peak Pulse Current • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 文件：113.56 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
2DB1184Q-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
110MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252-3
描述：
TRANS PNP 50V 3A TO252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2DB1184Q-13	DIODES(美台)	24+	TO-252	2669	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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