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2DB1182Q	文件：113.56 Kbytes Page：5 Pages	32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252 Features •BVCEO>-32V •IC=-2AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-3APeakPulseCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2DB1182Q	文件：277.92 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Lowsaturationvoltage ·Highreliability ·HighContinuousCollectorCurrent APPLICATIONS ·PowerSwitchingorAmplification	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2DB1182Q-13	文件：113.56 Kbytes Page：5 Pages	32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252 Features •BVCEO>-32V •IC=-2AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-3APeakPulseCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2DB1182Q_15	文件：479.73 Kbytes Page：6 Pages	32V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN TO252	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2DB1182Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 2A TO252-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

详细参数

型号：
2DB1182Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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