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2DB1182Q-13

32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252

Features • BVCEO > -32V • IC = -2A High Continuous Collector Current • ICM = -3A Peak Pulse Current • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant

文件:113.56 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

2DB1182Q-13

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 32V 2A TO252-3

DIODES

美台半导体

2DGL3*20KV0.05A

硅堆

DY

2DI75D-050A

模块

2DL1A50KV

硅堆

DY

产品属性

  • 产品编号:

    2DB1182Q-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252-3

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 2A TO252-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2DB1182Q-13供应商 更新时间2025-11-30 14:00:00