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2DB1132P分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2DB1132P
厂商型号

2DB1132P

参数属性

2DB1132P 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

功能描述

PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

TO-243AA

文件大小

190.08 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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2DB1132P规格书详情

Features

• BVCEO > -32V

• IC = -1A High Continuous Collector Current

• Complementary NPN Type: 2DD1664

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• For automotive applications requiring specific change

control (i.e.: parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP

capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),

please refer to the related automotive grade (Q-suffix) part.

A listing can be found at

https://www.diodes.com/products/automotive/automotive-products/.

• This part is qualified to JEDEC standards (as references in

AEC-Q) for High Reliability.

https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

产品属性

  • 产品编号:

    2DB1132P-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    82 @ 100mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    190MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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