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2DB1132P-13功能描述:两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    2DB1132P-13

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 50mA，500mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    500nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    82 @ 100mA，3V

  • 频率 - 跃迁：

    190MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-243AA

  • 供应商器件封装：

    SOT-89-3

  • 描述：

    TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

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