| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
18000 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
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2年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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9年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
2500 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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8年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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8年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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5年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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6年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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8年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
2095 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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6年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
1000 |
23+ |
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6年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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9年
留言
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DIODES/美台N/A |
20000 |
25+ |
只做原装,只有原装。 |
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6年
留言
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DIODESSOT89 |
44910 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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3年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
8000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
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13年
留言
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DIODESSOT-89 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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12年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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13年
留言
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DIODES/美台S |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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1年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
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LRC/乐山SOT-89 |
120152 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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4年
留言
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DIODESSOT89 |
8000 |
24+ |
新到现货,只做全新原装正品 |
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13年
留言
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DIODES/美台NA |
30000 |
26+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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2DB1132图片
2DB1132Q-13价格
2DB1132Q-13价格:¥0.7020品牌:Diodes
生产厂家品牌为Diodes的2DB1132Q-13多少钱,想知道2DB1132Q-13价格是多少?参考价:¥0.7020。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,2DB1132Q-13批发价格及采购报价,2DB1132Q-13销售排行榜及行情走势,2DB1132Q-13报价。
2DB1132R-13中文资料Alldatasheet PDF
更多2DB1132P制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DB1132P_11制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN SOT-89
2DB1132P-13功能描述:两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2DB1132Q-13功能描述:两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2DB1132R-13功能描述:两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2



























