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2DB1119S-13	文件：201.27 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant •GreenDevice MechanicalData •Case:SOT89-3L •CaseMaterial:MoldedPla	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
2DB1119S-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 25V 1A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威

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制造商&上传企业

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2DB1119S-13

文件：201.27 Kbytes

Page：4 Pages

PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant •GreenDevice MechanicalData •Case:SOT89-3L •CaseMaterial:MoldedPla

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

2DB1119S-13

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 25V 1A SOT89-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

产品属性

产品编号：
2DB1119S-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 50mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS PNP 25V 1A SOT89-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2DB1119S-13	DIODES/美台	2019+	SOT89	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2DB1119S-13	DIODES/美台	23+	SOT89-3L	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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深圳市盈宏半导体科技有限公司	2DB1119S-13	DIODES	11+P	SOT-89	6243	库存刚更新加微13425146986	询价
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更多2DB1119S-13供应商更新时间2024-4-24 16:04:00

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