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2DD2661-13	文件：93.31 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •ComplementaryPNPTypeAvailable(2DB1697) •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DD2661-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 2A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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2DD2661-13

文件：93.31 Kbytes

Page：4 Pages

LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •ComplementaryPNPTypeAvailable(2DB1697) •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

2DD2661-13

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 2A SOT89-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
2DD2661-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
180mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
270 @ 200mA，2V
频率 - 跃迁：
170MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS NPN 12V 2A SOT89-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2DD2661-13供应商更新时间2025-7-29 16:04:00

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