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2DB1132R

PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > -32V • IC = -1A High Continuous Collector Current • Complementary NPN Type: 2DD1664 • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Haloge

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美台半导体

2DB1132R-13

PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > -32V • IC = -1A High Continuous Collector Current • Complementary NPN Type: 2DD1664 • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Haloge

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美台半导体

2DB1132R-13

32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN SOT-89

文件:161.87 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

2DB1132R-13

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

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美台半导体

详细参数

  • 型号:

    2DB1132R

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多2DB1132R供应商 更新时间2025-12-19 16:36:00