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2DB1132R	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>-32V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ComplementaryNPNType:2DD1664 •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DB1132R-13	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>-32V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ComplementaryNPNType:2DD1664 •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DB1132R-13	文件：161.87 Kbytes Page：6 Pages	32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN SOT-89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DB1132R-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 1A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
2DB1132P	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-32V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ComplementaryNPNType:2DD1664 •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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详细参数

型号：
2DB1132R
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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