2DB1132R-13_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-美台半导体

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厂家型号：
2DB1132R-13
制造商：
DIODES/美台半导体
库存数量：
2705
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-243AA
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-10-30 16:04:00

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原厂料号：2DB1132R-13品牌：Diodes Incorporated

资料说明：TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

2DB1132R-13是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商DIODES/美台半导体生产封装TO-243AA的2DB1132R-13晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2DB1132R-13
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
DIODES【美台半导体】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
资料说明：
TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
2DB1132R-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 100mA，3V
频率 - 跃迁：
190MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

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2DB1132R-13_分立半导体产品 晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-美台半导体

2DB1132R-13

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