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20NM50L-TF3T-T	文件：409.22 Kbytes Page：9 Pages	20A, 500V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET  DESCRIPTION The UTC 20NM50 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at AC-DC converters for power 文件：409.22 Kbytes 页数：9 Pages	UTC 友顺	UTC
20NM50L-TN3-R	文件：409.22 Kbytes Page：9 Pages	20A, 500V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET  DESCRIPTION The UTC 20NM50 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at AC-DC converters for power 文件：409.22 Kbytes 页数：9 Pages	UTC 友顺	UTC
20N03	文件：288.56 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
20N03	文件：1.01516 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01516 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
20N03HL	文件：1.01546 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01546 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
20N03J	文件：959.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.95 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
20N03L	文件：1.01522 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01522 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
20N06	文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.38 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
20N06	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：193.72 Kbytes 页数：2 Pages	CHONGQING 平伟实业	CHONGQING
20N06	文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching 文件：67.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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详细参数

型号：
20N
功能描述：
射频放大器 LNA W/BYPASS SWITCH
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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