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20N112K

Metal Oxide Varistors Data Sheet

文件:325.33 Kbytes 页数:5 Pages

HUAXINAN

华兴安

20N120C

General purpose inverters

文件:820.86 Kbytes 页数:9 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

20N121K

Metal Oxide Varistors Data Sheet

文件:325.33 Kbytes 页数:5 Pages

HUAXINAN

华兴安

20N122K

Metal Oxide Varistors Data Sheet

文件:325.33 Kbytes 页数:5 Pages

HUAXINAN

华兴安

20N15

20A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:187.53 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

20N15

Fast Switching

文件:49.82 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

20N151K

Metal Oxide Varistors Data Sheet

文件:325.33 Kbytes 页数:5 Pages

HUAXINAN

华兴安

20N15AGH-HF

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件:1.00259 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20N15GH

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件:1.00248 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20N15GH-HF

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件:1.00248 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    20N

  • 功能描述:

    射频放大器 LNA W/BYPASS SWITCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 输出截获点:

    37.5 dBm

  • 功率增益类型:

    32 dB

  • 噪声系数:

    0.85 dB

  • 工作电源电压:

    5 V

  • 电源电流:

    125 mA

  • 测试频率:

    2.6 GHz

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    QFN-16

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多20N供应商 更新时间2026-3-10 10:21:00