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1S200	文件：55.38 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER ReverseVoltage-20to200VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1S200	文件：192.81 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Rectifier Features ●Guardringforovervoltageprotection ●Verysmallconductionlosses ●Extremelyfastswitching ●Highforwardsurgecapability ●Highfrequencyoperation ●Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106 TypicalApplications Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,free	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1S200	文件：896.05 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
1S2074	文件：28.02 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching Features •Lowcapacitance.(C=3.0pFmax) •Shortreverserecoverytime.(trr=4.0nsmax) •Highreliabilitywithglassseal.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
1S2074H	文件：28.02 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching Features •Lowcapacitance.(C=3.0pFmax) •Shortreverserecoverytime.(trr=4.0nsmax) •Highreliabilitywithglassseal.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
1S2075	文件：27.75 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching Features •Lowcapacitance.(C=3.5pFmax) •Shortreverserecoverytime.(trr=8.0nsmax) •Highreliabilitywithglassseal.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
1S2075K	文件：27.75 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching Features •Lowcapacitance.(C=3.5pFmax) •Shortreverserecoverytime.(trr=8.0nsmax) •Highreliabilitywithglassseal.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
1S2076A	文件：27.53 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator Features •Lowcapacitance.(C=3.0pFmax) •Shortreverserecoverytime.(trr=8.0nsmax) •Highreliabilitywithglassseal.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
1S2076A	文件：29.98 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODE PRV:70Volts Io:150mA FEATURES: SiliconEpitaxialPlanarDiode Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Highspeedswitching Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: Case:DO-35GlassCase Lead:AxialleadsolderableperMIL	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1S2076A	文件：551.75 Kbytes Page：3 Pages	High reliability with glass seal. Features •Lowcapacitance.(C=3.0pFmax) •Shortreverserecoverytime.(trr=8.0nsmax) •Highreliabilitywithglassseal.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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技术参数

VRRM(V)：
35
VR(V)：
30
IFSM(A)：
0.6
VF(V)：
0.8
IR (μA)：
0.1
TRR(NS)：
8.0
PACKAGE：
DO-35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1S2供应商更新时间2025-7-29 9:31:00

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