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1S2075K	文件：27.75 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching Features •Lowcapacitance.(C=3.5pFmax) •Shortreverserecoverytime.(trr=8.0nsmax) •Highreliabilitywithglassseal.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
1S2075K	文件：144.36 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
1S2075	文件：27.75 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching Features •Lowcapacitance.(C=3.5pFmax) •Shortreverserecoverytime.(trr=8.0nsmax) •Highreliabilitywithglassseal.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
1S2075	文件：144.36 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodeforHighSpeedSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
1S2075	文件：309.16 Kbytes Page：2 Pages	35VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
1S2075	文件：309.16 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行

更多1S2075K供应商更新时间2024-4-27 16:30:00