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1N60P	文件：365.394 Kbytes Page：2 Pages	40V Detection switch tube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N60P	文件：365.313 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N60P	文件：72.98 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1N60P	文件：75.86 Kbytes Page：1 Pages	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
1N60PG-T92-B	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60PG-T92-K	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60PG-T92-R	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60PL-T92-B	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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1N60PL-T92-R	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

技术参数

Vdss(V)：
600
Vgss(V)：
30
Id(A)：
1.2
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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