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1N60P	文件：80.99 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N60P	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES FEATURES Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. ExtremelylowreversecurrentIR Ultraspeedswitchingcharacteristics Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics SatisfactoryWavedetectionefficiency	DCCOM Dc Components	DCCOM
1N60P	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60P	文件：184.95 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Schottky Diodes Features ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N60P	文件：360.93 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE FEATURES ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N60P	文件：123.63 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Schottky Diodes ■Features ●VR40V ●IFAV30mA ■Applications ●Useinsuperhighspeedswitchingcircuits,smallcurrentrectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N60P	文件：90.95 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1N60P	文件：3.55111 Mbytes Page：2 Pages	Hermetically Sealed Glass Case Point Contact Germanium Diode PRODUCTFEATURE 1N60isapointcontactdiodeemployingN-fromGermaniumandgivesanefficientandexcellentlinearitywhenusedinTVimagedetection,FMdetection,radio,AMdetection,etc.	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
1N60P	文件：454.91 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N60P	文件：365.394 Kbytes Page：2 Pages	40V Detection switch tube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
1N60P
制造商：
FORMOSA
制造商全称：
Formosa MS
功能描述：
Schottky Barrier Diode

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更多1N60P供应商更新时间2025-7-21 10:08:00

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