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12N60C	文件：235.07 Kbytes Page：6 Pages	12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET The UTC 12N60are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced using UTCs proprietary, planar stripe, DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance, provide superior switching p 文件：235.07 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
12N60C3D	文件：124.82 Kbytes Page：8 Pages	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderatel 文件：124.82 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
12N60_10	文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages	12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：358.2 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
12N60_12	文件：371.21 Kbytes Page：7 Pages	12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：371.21 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
12N60_15	文件：379.24 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL JUNCTION FET 文件：379.24 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
12N60A	文件：885.41 Kbytes Page：5 Pages	12A 600V N-channel enhanced field effect transistor 文件：885.41 Kbytes 页数：5 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
12N60F	文件：2.48891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：2.48891 Mbytes 页数：8 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
12N60G	文件：2.48891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：2.48891 Mbytes 页数：8 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
12N60G-T2Q-T	文件：379.24 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL JUNCTION FET 文件：379.24 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
12N60G-T2Q-T	文件：371.21 Kbytes Page：7 Pages	12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：371.21 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC

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技术参数

Vdss(V)：
600
Vgss(V)：
30
Id(A)：
12
Package：
TO-220/TO-220F/TO-22...

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市诚利顺电子科技有限公司	12N60	FSC	25+	TO-220F	6500	十七年专营原装现货一手货源,样品免费送	询价
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