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ZXT2MA	文件：160.45 Kbytes Page：7 Pages	20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features and Benefits • BVCEO > -20V • IC = -3.5A Continuous Collector Current • Low Saturation Voltage (-220mV @ -1A) • RSAT = 64 mΩ for a low equivalent On-Resistance • hFE specified up to -6A for high current gain hold up • RθJA efficient, 60 lower than SOT23 • 4mm2 footprint, 50 smaller 文件：160.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT2MATA	文件：160.45 Kbytes Page：7 Pages	20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features and Benefits • BVCEO > -20V • IC = -3.5A Continuous Collector Current • Low Saturation Voltage (-220mV @ -1A) • RSAT = 64 mΩ for a low equivalent On-Resistance • hFE specified up to -6A for high current gain hold up • RθJA efficient, 60 lower than SOT23 • 4mm2 footprint, 50 smaller 文件：160.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT2MATC	文件：160.45 Kbytes Page：7 Pages	20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features and Benefits • BVCEO > -20V • IC = -3.5A Continuous Collector Current • Low Saturation Voltage (-220mV @ -1A) • RSAT = 64 mΩ for a low equivalent On-Resistance • hFE specified up to -6A for high current gain hold up • RθJA efficient, 60 lower than SOT23 • 4mm2 footprint, 50 smaller 文件：160.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT2MA_15	文件：160.45 Kbytes Page：7 Pages	20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR 文件：160.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT2MA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXT2MATA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Product Type：
PNP
IC：
4 A
ICM：
N/A A
PD：
2.45 W
hFE：
300 Min
hFE (@ IC)：
0.01 A
hFE (Min 2)：
2
hFE (@ IC2)：
150 A
VCE (SAT) Max：
30 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/10
VCE (SAT) (Max.2)：
250 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
2/50
fT：
180
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
DFN322

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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